[实用新型]氮化镓系发光二极管结构无效
| 申请号： | 200420036443.8 | 申请日： | 2004-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN2760762Y | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | 洪详竣;赖穆人;黄振斌;詹其峰;江振福 | 申请（专利权）人： | 炬鑫科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨;郭凤麟 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种氮化镓系发光二极管结构，包含一衬底；一半导体堆栈层，接于该衬底的上方，由下而上包含一n型氮化镓系层、一发光层、一p型氮化镓系层；一粗糙化层，位于该p型氮化镓系层的上方；一导电透光氧化层，位于该粗糙化层上方，并与该粗糙化层形成欧姆接触；一第一电极，与该半导体堆栈层中的n型氮化镓系层电性耦合；及一第二电极，与该导电透光氧化层电性耦合。该透光导电氧化层形成于一具有表面粗糙化层的氮化镓接触层上，作为一窗口层，并以该粗糙化层作为与该透光导电氧化层的欧姆接触层，能有效地降低接触阻抗及工作电压，同时以该粗糙化层中断光导效应，增加光提取效率，进而提高外部量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓系发光二极管结构，其特征在于包括：一衬底；一半导体堆栈层，接于该衬底的上方，由下而上包含一n型氮化镓系层、一发光层、一p型氮化镓系层；一粗糙化层，位于该p型氮化镓系层的上方；一导电透光氧化层，位于该粗糙化层上方，并与该粗糙化层形成欧姆接触；一第一电极，与该半导体堆栈层中的n型氮化镓系层电性耦合；及一第二电极，与该导电透光氧化层电性耦合。
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