[实用新型]磁阻式随机存取存储单元的编程电路无效
| 申请号： | 200420047712.0 | 申请日： | 2004-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN2687794Y | 公开（公告）日： | 2005-03-23 |
| 发明（设计）人： | 邓端理 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种磁阻式随机存取存储器电路。磁阻式存储单元具有固定磁轴层、自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层。位线是以一既定方向配置并耦接于自由磁轴层，用以产生第一磁场。数据线是耦接于固定磁轴层。开关装置是耦接于数据线以及接地点之间，并具有控制闸。编程线是用以产生第二磁场，具有第一阻抗区以及第二阻抗区，第二阻抗区的阻抗值是小于第一阻抗区，且第一阻抗区与磁阻式存储单元的距离是小于第二阻抗区。第二绝缘层是设置于数据线以及编程线之间。字符线是耦接于控制闸，用以提供信号以导通开关装置，使得第一磁场以及第二磁场改变自由磁轴层的磁轴方向，致使磁阻式存储单元的导通状态改变。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取 存储 单元 编程 电路 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻式随机存取存储单元编程电路，其特征在于包括：一磁阻式存储单元，具有一固定磁轴层、一自由磁轴层，以及设置于上述固定磁轴层以及自由磁轴层之间的一第一绝缘层，上述磁阻式存储单元具有一第一导通状态；一位线，以一既定方向配置并耦接于上述自由磁轴层，用以产生一第一磁场；一数据线，耦接于上述固定磁轴层；一开关装置，耦接于上述数据线以及一接地点之间，并具有一控制闸；一编程线，用以产生一第二磁场，上述编程线具有一第一阻抗区以及一第二阻抗区，其中上述第二阻抗区之阻抗值是小于上述第一阻抗区，且上述第一阻抗区与上述磁阻式存储单元的距离是小于上述第二阻抗区；一第二绝缘层，设置于上述数据线以及编程线之间；以及一字符线，以垂直上述既定方向配置，并耦接于上述控制闸，用以提供一信号以导通上述开关装置，使得上述第一磁场以及第二磁场改变上述自由磁轴层的磁轴方向，致使上述磁阻式存储单元的导通状态由上述第一导通状态改变为一第二导通状态。
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