[实用新型]电容器和半导体装置

摘要

本实用新型提供一种利用不同介电常数的插塞构成的电容器和半导体装置，其中低介电常数的插塞是做为组件隔离之用，高介电常数的插塞是做为耦合之用，例如电容器介电层或门极绝缘层。本实用新型并提供一种利用热膨胀系数不同于基底的插塞构成的半导体装置，若插塞的热膨胀系数比基底大，则于主动区可形成双轴拉伸应变通道的晶体管；若插塞的热膨胀系数比基底小，则于主动区可形成双轴压缩应变通道的晶体管；若于主动区的一相对边形成热膨胀系数较大的绝缘插塞，另一相对边形成热膨胀系数较小的绝缘插塞，则于主动区可形成单轴应变的晶体管。

主权项

1.一种电容器，其特征在于包括：一基底；一具有第一介电常数的第一插塞和一具有第二介电常数的第二插塞，设置于该基底中，其中该具有第一介电常数的第一插塞至少定义出一电容区，该具有第二介电常数的第二插塞位于该电容区中，并将该电容区分隔为一第一电极区和一第二电极区，其中该第一介电常数和该第二介电常数不同；以及一第一电极板和一第二电极板，分别设于该基底中的该第一电极区和该第二电极区，其中该具有第一介电常数的第一插塞的深度以及该具有第二介电常数的第二插塞的深度比该第一和第二电极板的深度深。