[实用新型]可同时具有部分空乏晶体管与完全空乏晶体管的芯片

摘要

本实用新型主要提出两种不同型态的完全空乏晶体管，并且将完全空乏晶体管与部分空乏晶体管整合于单一芯片上。可透过调整栅极层的长度，以决定平面晶体管是完全空乏或是部分空乏。完全空乏晶体管的栅极层长度较部分空乏晶体管的栅极层长度为长。或是透过调整晶体管主动区的宽度，以决定晶体管是完全空乏或是部分空乏。完全空乏晶体管的主动区宽度较部分空乏晶体管的主动区宽度为窄。不断地减少主动区的宽度，可以形成一多重栅极晶体管，当该多重栅极晶体管的主动区宽度减少至小于空乏区宽度的两倍时，该多重栅极晶体管便是完全空乏。如此一来，在单一芯片上就可同时制备完全空乏晶体管与部分空乏晶体管。

主权项

1.一种可同时具有部分空乏晶体管与完全空乏晶体管的芯片，其特征在于所述芯片包括：一半导体基底；一完全空乏平面晶体管，具有一长栅极层，且设置于上述半导体基底上；以及一部分空乏平面晶体管，具有一短栅极层，且设置于上述半导体基底上；其中上述长栅极层的长度大于上述短栅极层。