[实用新型]改善阻障层的覆盖均匀性的内连线无效
| 申请号： | 200420049598.5 | 申请日： | 2004-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN2692839Y | 公开（公告）日： | 2005-04-13 |
| 发明（设计）人： | 黄震麟;谢静华;眭晓林 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 董惠石 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型为一种改善阻障层的覆盖均匀性的内连线，包括：一半导体基底；一介电层，形成于该半导体基底上，其中该介电层具有一沟槽，且该沟槽露出于该半导体基底表面；以及，一阻障层，形成于该沟槽的侧壁及底部，其中该阻障层具有一大体均匀的厚度，且该均匀的厚度藉由一再溅击制程形成，从而克服了现有技术的缺陷，导电插塞与金属层可有效连接，避免介电层上方及下方的金属层导电不良的问题；同时，可有效避免金属层构成的导电插塞的金属扩散至介电层当中，进而达到提高产品可靠度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 阻障 覆盖 均匀 连线 | ||
【主权项】：
1.一种改善阻障层的覆盖均匀性的内连线，其特征在于，所述内连线包括：一半导体基底；一介电层，形成于该半导体基底上，其中该介电层具有一沟槽，且该沟槽露出于该半导体基底表面；及一阻障层，形成于该沟槽的侧壁及底部，其中该阻障层具有一由再溅击制程形成的大体均匀的厚度。
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