[实用新型]磁阻式随机存取存储器电路无效
| 申请号： | 200420049602.8 | 申请日： | 2004-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN2710107Y | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 林文钦;邓端理;池育德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种磁阻式随机存取存储器电路，包括下列组件：磁阻式存储单元，具有固定磁轴层、自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层。第一开关装置是耦接于固定磁轴层的一端，并具有第一控制闸。第二开关装置是耦接于自由磁轴层，并具有第二控制闸。位元线是耦接于第二开关装置，用以于读取动作时提供读取电流。第一编程线是耦接于固定磁轴层的另一端，用以于执行编程动作时提供编程电流。第二编程线是耦接于第一开关装置。字符线是耦接于第一控制闸以及第二控制闸，用以提供致能信号以导通第一开关装置以及第二开关装置。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取存储器 电路 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻式随机存取存储器电路，其特征是包括：一磁阻式存储单元，具有一固定磁轴层、一自由磁轴层，以及设置于上述固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层，上述磁阻式存储单元具有一第一导通状态；一第一开关装置，耦接于上述固定磁轴层的一端，并具有一第一控制闸；一第二开关装置，耦接于上述自由磁轴层，并具有一第二控制闸；一位元线，耦接于上述第二开关装置，用以于读取动作时提供读取电流；一第一编程线，耦接于上述固定磁轴层的另一端，用以于执行编程动作时提供编程电流；一第二编程线，耦接于上述第一开关装置；以及一字符线，耦接于上述第一控制闸以及第二控制闸，用以提供一致能信号以导通上述第一开关装置以及第二开关装置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200420049602.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
