[实用新型]具有晶格不相称区的应变沟道晶体管结构无效
| 申请号： | 200420049930.8 | 申请日： | 2004-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN2720640Y | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 杨育佳;林俊杰;李文钦;胡正明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种具有晶格不相称区的应变沟道晶体管结构。此晶体管结构包括一具有应变沟道区的基底，该基底包含第一自然晶格常数的第一半导体材料，于一表面，一栅极介电层覆盖此应变沟道区，一栅极电极覆盖此栅极介电层，且一源极区与漏极区位于此应变沟道区的相对邻近处，此源极区与/或漏极区包含一晶格不相称区，该晶格不相称区包含第二自然晶格常数的第二半导体材料，此第二自然晶格常数与第一自然晶格常数相异。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 晶格 不相称 应变 沟道 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种具有晶格不相称区的应变沟道晶体管结构，其特征在于所述应变沟道晶体管结构包括：一应变沟道区，包括具有第一自然晶格常数的第一半导体材料；一覆盖该变形沟道区的栅极介电质层；一覆盖该栅极介电质层的栅极电极；以及一源极区与漏极区位于该变形沟道区相对相邻处，该源极与/或漏极包含一晶格不相称区，该晶格不相称区包括具有第二自然晶格常数的第二半导体材料，该第二自然晶格常数与该第一自然晶格常数相异。
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