[实用新型]微小线宽金属硅化物结构无效
| 申请号： | 200420050744.6 | 申请日： | 2004-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN2699481Y | 公开（公告）日： | 2005-05-11 |
| 发明（设计）人： | 张志维;王美匀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄健 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种新的微小线宽金属硅化物结构，其包括：一基底；二柱状间隔物，设置于基底表面；一硅层，设置于上述柱状间隔物表面且填满两柱状间隔物的间隔区域；以及一金属硅化物层，设置于所述硅层表面。 | ||
| 搜索关键词： | 微小 金属硅 结构 | ||
【主权项】：
1、一种微小线宽金属硅化物结构，其特征在于，包括：一基底；二柱状间隔物，设置于所述基底表面；一硅层，设置于所述柱状间隔物表面且填满两柱状间隔物的间隔区域；以及一金属硅化物层，设置于所述硅层表面。
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