[实用新型]超高真空气体离化装置无效
申请号: | 200420054353.1 | 申请日: | 2004-12-09 |
公开(公告)号: | CN2760753Y | 公开(公告)日: | 2006-02-22 |
发明(设计)人: | 李新化;汪洋;王玉琦 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;C23C14/22 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230031*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种超高真空气体离化装置。它包括法兰盘(1)上的管状离化器,以及离化电极,特别是管状离化器由气体离化室(6)和密封室(5)构成,气体离化室(6)的一端为喷嘴(7)、另一端与密封室(5)相接,并经伸入其内的凸管(10)与固定架(12)的管状内壁凹台的一端相接,固定架(12)的另一端与法兰盘(1)相接为一体,其端部与进气管(14)连接,密封室(5)的另一端与固定架(12)上的凸圆台间经胶圈(2)、压片(3)和压盖(4)连接,工作电极(8)置于气体离化室(6)中,配合电极(9)环绕于气体离化室(6)之外。它气体离化的纯度和效率均高,对整机的清洗和更换工作电极也方便,可广泛用于各种制膜设备中。 | ||
搜索关键词: | 超高 真空 气体 化装 | ||
【主权项】:
1、一种超高真空气体离化装置,包括法兰盘(1)上的一端为圆锥喷嘴(7)、另一端带有进气管(14)的管状离化器,以及离化电极,其特征在于所说管状离化器由气体离化室(6)和密封室(5)构成,所说气体离化室(6)的一端为喷嘴(7)、另一端与密封室(5)相接,并经伸入密封室(5)内的凸管(10)与固定架(12)的带有管状内壁凹台的一端相接,固定架(12)的另一端与法兰盘(1)相接为一体,其端部与进气管(14)相连接,所说密封室(5)的另一端与固定架(12)上的凸圆台间经胶圈(2)、压片(3)和压盖(4)相连接,所说离化电极为工作电极(8)和配合电极(9),所说工作电极(8)的一端穿过所说凸管(10)置于气体离化室(6)中、另一端嵌入所说固定架(12)一端的管状内壁凹台中,所说配合电极(9)环绕于气体离化室(6)之外。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造