[实用新型]一种铁电薄膜红外探测器硅微桥腐蚀装置无效
| 申请号： | 200420057785.8 | 申请日： | 2004-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN2817066Y | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 陈实;曾亦可;姜胜林;刘梅冬;刘少波 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3063;H01L31/18;G01J5/10;B81C1/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 方放 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种铁电薄膜红外探测器硅微桥腐蚀装置，属于单晶硅基片制备的有关设备，目的在于有效地防止腐蚀液渗漏，使得薄膜沉积工艺先于微桥制备工艺成为可能，提高器件的质量及成品率。本实用新型加热器上安置水浴缸，水浴缸中置有烧杯，冷凝器通过密封盖设置于烧杯上，水浴缸中同时置有温度计，温度计、温控仪和加热器串联构成温度控制回路；其特征在于烧杯中设有不锈钢圆筒，该不锈钢圆筒由不同直径的两个不锈钢圆筒构成一体、直径较大的不锈钢圆筒内壁旋有固紧螺栓；该固紧螺栓为中心透空的螺栓。应用该装置，能有效地保护硅基片正面图形，使薄膜沉积工艺先于微桥制备工艺进行，提高器件的质量及成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 红外探测器 硅微桥 腐蚀 装置 | ||
【主权项】：
1.一种铁电薄膜红外探测器硅微桥腐蚀装置，加热器上安置水浴缸，水浴缸中置有烧杯，冷凝器通过密封盖设置于烧杯上，水浴缸中同时置有温度计，温度计、温控仪和加热器串联构成温度控制回路；其特征在于烧杯中设有不锈钢圆筒，该不锈钢圆筒由不同直径的两个不锈钢圆筒构成一体、直径较大的不锈钢圆筒内壁旋有固紧螺栓；该固紧螺栓为中心透空的螺栓。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
