[实用新型]半导体基材结构无效
| 申请号： | 200420059037.3 | 申请日： | 2004-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN2770096Y | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 万文恺;林义雄;雷明达;彭宝庆;林正忠;林佳惠;刘埃森 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王燕秋 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体基材结构，此半导体基材包含了具有导电区域与非导电区域的基材，其中导电区域为铜导线所构成，且由电镀制程所形成。一合金层，形成于这些导电区域中，且该合金层由钴金属薄膜与铜金属薄膜经热处理制程所形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 基材 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体基材结构，其特征在于，其至少包含：一基材，该基材上具有若干个导电区域与若干个非导电区域，且这些导电区域包含一第一金属薄膜，其中该第一金属薄膜由电镀制程所形成；以及一合金层，形成于这些导电区域，其中该合金层由一第二金属薄膜与该第一金属薄膜所形成，且该第二金属薄膜使用与该第一金属薄膜的不同材料所构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200420059037.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
