[实用新型]多重栅极介电层的结构无效
| 申请号： | 200420059202.5 | 申请日： | 2004-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN2751446Y | 公开（公告）日： | 2006-01-11 |
| 发明（设计）人： | 杨育佳;杨富量;胡正明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L27/088;H01L29/78;H01L21/8234;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种多重栅极介电层的结构。其中，该重栅极介电层的结构是包含一高介电常数介电层沉积于一具有原生氧化层的半导体基底上，该高介电常数介电层的介电常数大于8。该高介电常数介电层是不形成于一高效能组件区内，做为低漏电流组件区的一栅极介电层的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 多重 栅极 介电层 结构 | ||
【主权项】：
1.一种多重栅极介电层的结构，其特征在于，包括：一半导体基底，该半导体基底包含一高效能组件区及一低漏电流组件区；一第一栅极介电层，设置于该高效能组件区的该半导体基底表面；由一高介电常数介电层及一界面介电层堆栈而成的一第二栅极介电层，设置于该低漏电流组件区的该半导体基底表面，该界面介电层是位于该高介电常数介电层及该半导体基底之间，该高介电常数介电层的介电常数大于8。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
