[实用新型]纳米级气相二氧化硅合成装置无效
| 申请号： | 200420061763.9 | 申请日： | 2004-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN2741959Y | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | 吴火明;刘先云 | 申请（专利权）人： | 刘先云 |
| 主分类号： | C01B33/113 | 分类号： | C01B33/113;C01B33/18 |
| 代理公司： | 成都立信专利事务所有限公司 | 代理人： | 游兰 |
| 地址： | 610041四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种纳米级气相二氧化硅合成装置，包括由带有进料口的蜗壳旋转混合器及与此连接的高速射流混合器组成的混合器，与高速射流混合器连接并设置有点火器的合成室，与合成室下端连接的扁形冷却器。该设备合成效率高，合成时间不超过3秒，且能连续生产，生成的纳米二氧化硅不需用沸腾床筛选，经真空脱酸后即达合格产品，平均粒度16～20Nm，比表面258m2/g，pH3.8，二氧化硅含量99.8％。其产品主要用于橡胶、塑料、涂料、粘线剂、密封胶、化妆品、医药、电子及航空航天等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 级气相 二氧化硅 合成 装置 | ||
【主权项】：
1、一种纳米级气相二氧化硅合成装置，包括混合器及合成室，其特征在于混合器由带有进料口的蜗壳旋转混合器及与此连接的高速射流混合器组成，高速射流混合器出口与设置有点火器的合成室上端连接，合成室下端与扁形冷却器连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于刘先云，未经刘先云许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200420061763.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
