[实用新型]磁阻式随机存取存储器电路无效
申请号: | 200420066309.2 | 申请日: | 2004-06-17 |
公开(公告)号: | CN2739766Y | 公开(公告)日: | 2005-11-09 |
发明(设计)人: | 邓端理;林文钦 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/15 | 分类号: | G11C11/15 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王一斌 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种磁阻式随机存取存储器电路,包括下列组件:多个磁阻式存储单元,具有固定磁轴层、自由磁轴层,以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层。共同导电层是用以耦接磁阻式存储单元。多个限流装置分别具有第一极以及第二极,各限流装置的第一极是分别耦接于磁阻式存储单元。开关装置是耦接于共同导电层的一端,并具有一控制闸。多个字元线是分别耦接于限流装置的第二极,用以于执行编程动作时提供第一编程电流以及执行读取动作时提供读取电流。第一编程线是耦接于共同导电层的另一端,用以于执行编程动作时提供第二编程电流。第二编程线是耦接于开关装置。选取线是耦接于控制闸,用以提供一致能信号以导通上述开关装置。 | ||
搜索关键词: | 磁阻 随机存取存储器 电路 | ||
【主权项】:
1.一种磁阻式随机存取存储器电路,其特征在于,包括:多个磁阻式存储单元,具有一固定磁轴层、具有一既定自由磁轴方向的一自由磁轴层,以及设置于上述固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层;一共同导电层,用以耦接上述磁阻式存储单元;多个限流装置,分别具有第一极以及第二极,各限流装置的第一极是分别耦接于上述磁阻式存储单元;一开关装置,耦接于上述共同导电层的一端,并具有一控制闸;多个字元线,分别耦接于上述限流装置的第二极,用以于执行编程动作时提供第一编程电流以及执行读取动作时提供读取电流;一第一编程线,耦接于上述共同导电层的另一端,用以于执行编程动作时提供第二编程电流;一第二编程线,耦接于上述开关装置;以及一选取线,耦接于上述控制闸,用以提供一致能信号以导通上述开关装置。
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