[实用新型]绝缘层上有硅芯片的鳍状元件及应用它的单一晶体管静态随机存取内存无效
申请号: | 200420067512.1 | 申请日: | 2004-06-10 |
公开(公告)号: | CN2726118Y | 公开(公告)日: | 2005-09-14 |
发明(设计)人: | 杨国男;詹宜陵;陈豪育;邓凌思;杨富量 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/11;H01L21/84;H01L21/8244 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王燕秋 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种绝缘层上有硅芯片的鳍状元件,包含硅基材、覆盖于硅基材上的绝缘层、具有鳍状结构的硅控整流体与闸极层,该硅控整流体的宽度能使其结构中形成一非空乏区域。本实用新型另一种鳍状元件包含硅基材、覆盖于硅基材上的绝缘层、具有鳍状结构的硅控整流体、及部分覆盖于硅控整流体宽度上的闸极层,使硅控整流体结构中间形成非空乏区域。本实用新型的鳍状元件,具有降低半导体组件的短信道效应尺寸,改善SOI制程鳍状元件完全空乏的情况,使得硅控整流体的操作速度更为加快,更能满足系统整合芯片的制造需求。本实用新型还提供了应用该鳍状元件的单一晶体管静态随机存取内存。 | ||
搜索关键词: | 绝缘 层上有硅 芯片 状元 应用 单一 晶体管 静态 随机存取 内存 | ||
【主权项】:
1.一种绝缘层上有硅芯片的鳍状元件,其特征在于,该鳍状元件至少包含:一硅基材;一绝缘层,覆盖于该硅基材之上;至少一硅控整流体鳍状结构,其形成于该绝缘层之上,该硅控整流体鳍状结构的宽度在该硅控整流体鳍状结构中形成一非空乏区域;及至少一用来控制该硅控整流体的闸极层,形成在该硅控整流体鳍状结构之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的