[实用新型]成膜装置无效
| 申请号： | 200420074142.4 | 申请日： | 2004-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN2735539Y | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 长谷部一秀;野津大辅;崔东均 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/4763;C23C16/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 胡强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种成膜装置，包括：调节反应容器内的压力的压力调节装置(14)；对反应容器内进行加热的加热装置(3)；向反应容器内供给氧气的气体供给装置(4，5)；以及具有程序和根据此程序来控制各装置的装置(6)的控制部，该程序是为了清洗附着有钌膜或氧化钌膜的反应容器内、将反应容器内的压力减压至1.33KPa以下、并使成为850℃以上的高温气氛、并向反应容器内供给作为清洗气体的氧气而制作的程序。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 | ||
【主权项】：
1、一种成膜装置，其特征在于，是在反应容器内对被处理体进行钌膜或氧化钌膜的成膜的成膜装置，包括：调节反应容器内的压力的压力调节装置；对反应容器内进行加热的加热装置；向反应容器内供给氧气的气体供给装置；以及具有程序和根据此程序来控制各装置的装置的控制部，该程序是为了清洗附着有钌膜或氧化钌膜的反应容器内、将反应容器内的压力减压为1.33Kpa以下、并且使其成为850℃以上的高温气氛、并向反应容器内供给作为清洗气体的氧气而制作的程序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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