[实用新型]磁阻式存储单元以及磁阻式随机存取存储器电路无效
| 申请号： | 200420084310.8 | 申请日： | 2004-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN2757293Y | 公开（公告）日： | 2006-02-08 |
| 发明（设计）人： | 林文钦;邓端理 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种磁阻式随机存取存储器电路。磁阻式存储单元具有固定磁轴层、第一自由磁轴层、第二自由磁轴层，以及分别设置于固定磁轴层与第一自由磁轴层之间以及第一与第二自由磁轴层之间的绝缘层。位线耦接于磁阻式存储单元，用以提供第一磁场。第一编程线与第二编程线分别提供第二磁场与第三磁场以结合第一磁场而分别改变第一自由磁轴层与第二自由磁轴层至少一者的磁轴方向。开关装置耦接于磁阻式存储单元以及第一编程线与第二编程线之一者之间，具有一控制闸。字符线耦接于控制闸，用以提供信号以导通开关装置。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 存储 单元 以及 随机存取存储器 电路 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻式存储单元，其特征在于包括：一第一自由磁轴层以及一第二自由磁轴层；一固定磁轴层；以及多个绝缘层，分别设置于上述第一与第二自由磁轴层之间，以及设置于上述固定磁轴层与上述第一自由磁轴层与第二自由磁轴层的一者之间，其中上述绝缘层具有不同的磁阻比例。
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