[实用新型]分离闸极快闪记忆晶胞的字符线结构无效
| 申请号： | 200420084610.6 | 申请日： | 2004-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN2742533Y | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | 喻中一;罗际兴;蔡嘉雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王燕秋 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种分离闸极快闪记忆晶胞(Split Gate FlashMemory Cell)的字符线(Word Line)结构。在制作上，先提供分离闸极快闪记忆晶胞的闸极结构，其中此闸极结构上形成有字符线的材料层。再于此字符线材料层上形成覆盖层。接着，利用化学机械研磨(CMP)技术移除部分的覆盖层与部分的字符线材料层。于暴露的字符线材料层的表面上形成氧化层后，去除剩下的覆盖层及其下方的字符线材料层，而形成分离闸极快闪记忆晶胞的方型(Box－shape)字符线。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 极快 记忆 晶胞 字符 结构 | ||
【主权项】：
1、一种分离闸极快闪记忆晶胞的字符线结构，其特征在于，至少包括：该分离闸极快闪记忆晶胞的一闸极结构位于一基材上；以及一方型间隙壁位于该闸极结构的一侧壁上。
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