[实用新型]鳍状的半导体二极管结构无效
| 申请号： | 200420084915.7 | 申请日： | 2004-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN2726126Y | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | 杨育佳;杨富量 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王燕秋 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种鳍状的半导体二极管结构，此结构包括一半导体基材、一垂直半导体鳍状体、一第一导电件与一第二导电件。半导体鳍状体位于半导体基材上方，半导体鳍状体具有掺杂有第一掺杂物的第一重掺杂区域与掺杂有第二掺杂物的第二重掺杂区域，第一重掺杂区域与第二重掺杂区域分别位于半导体鳍状体两侧，第一导电件接触于第一重掺杂区域，第二导电件接触于第二重掺杂区域。上述的第一重掺杂区域与第二重掺杂区域之间可更包括有一轻掺杂区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 二极管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种鳍状的半导体二极管结构，其特征在于，该结构至少包括：一半导体基材；一垂直半导体鳍状体，位于该半导体基材上方，该半导体鳍状体具有掺杂有第一掺杂物的第一重掺杂区域与掺杂有第二掺杂物的第二重掺杂区域，该第一重掺杂区域与该第二重掺杂区域分别位于该半导体鳍状体两侧；以及一第一导电件与一第二导电件，该第一导电件接触于该第一重掺杂区域，该第二导电件接触于该第二重掺杂区域。
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