[实用新型]集成电路

摘要

本实用新型提供一种集成电路，该集成电路的不同芯片区具有不同的闸介电质。该集成电路包括基底、第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管在第一闸极和基底之间具有第一闸介电质，该第一闸介电质包括第一高介电常数材料和/或第二高介电常数材料，具有第一等效氧化硅厚度；第二晶体管在第二闸极和基底之间具有第二闸介电质，该第二闸介电质包括第一高介电常数材料和/或第二高介电常数材料，具有第二等效氧化硅厚度，且该第二等效氧化硅厚度可以与第一等效氧化硅厚度不同。本实用新型提供的集成电路能在有效解决闸极漏电流问题的同时维持较好的开关速度。

主权项

1.一种集成电路，其特征在于该集成电路包括：一个基底；第一晶体管，其第一栅极电极和所述基底之间具有第一栅介电质，该第一栅介电质包括第一高介电常数材料，具有第一等效氧化硅厚度；以及第二晶体管，其第二栅极电极和所述基底之间具有第二栅介电质，该第二栅介电质包括第一高介电常数材料，具有第二等效氧化硅厚度，且该第二等效氧化硅厚度不同于所述第一等效氧化硅厚度。