[实用新型]下游电浆的改良反应器无效
| 申请号： | 200420087913.3 | 申请日： | 2004-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN2718777Y | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | 陈庆安;巫洧源;陈应毅;赖晋颂;卢铭诠 | 申请（专利权）人： | 晶研科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 曹广生 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种下游电浆的改良反应器。包括一反应腔，具有一底盘、一顶盖及围绕的侧壁及腔门；一气体系统，连通该反应腔以输入及排出反应气体；一电感线圈组态安置在该侧壁外；一交流电源产生器；一介电窗，介于该线圈组态及该反应腔之间；一金属挡板，位于该反应腔中；以及一旋转型直立承台模组。从而，可达到均匀的制程速率、增加生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 下游 改良 反应器 | ||
【主权项】：
1、一种下游电浆的改良反应器，其特征是：包括一反应腔，具有一底盘、一顶盖及围绕的侧壁及腔门；一气体系统，连通该反应腔以输入及排出反应气体；一电感线圈组态安置在该侧壁外，以产生高密度电浆源；一交流电源产生器；一介电窗，介于该线圈组态及该反应腔之间；一金属挡板，位于该反应腔中；以及一旋转型直立承台模组。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
