[实用新型]金属镶嵌的结构无效
| 申请号： | 200420088801.X | 申请日： | 2004-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN2731712Y | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 吴振诚;卢永诚;陈盈淙;章勋明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王燕秋 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种金属镶嵌的结构，先依序沉积一蚀刻终止层与一介电层于一基础层上方，然后于介电层与蚀刻终止层中形成一开孔，再于介电层表面与开孔侧边及底部沉积一碳化硅层，最后于开孔中形成一金属层。本实用新型的碳化硅层可避免金属层扩散至介电层，得以降低漏电流，并能提高与半导体组件可靠度相关的时依性介电崩溃时间与改善偏压温度冲击性能。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 镶嵌 结构 | ||
【主权项】：
1、一种金属镶嵌的结构，其特征在于：至少包括：一基础层；一蚀刻终止层，是位于该基础层上方；一介电层，是位于该蚀刻终止层上方；一开孔，是位于该介电层与该蚀刻终止层中；一碳化硅层，是位于该介电层表面与该开孔侧边及底部；以及一金属层，是位于该开孔中。
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