[实用新型]双电荷耦合成像芯片的超视距望远摄像装置无效

专利信息
申请号: 200420089164.8 申请日: 2004-08-30
公开(公告)号: CN2722276Y 公开(公告)日: 2005-08-31
发明(设计)人: 徐潮 申请(专利权)人: 北京佳士凯科技中心
主分类号: G02B23/02 分类号: G02B23/02;G02B23/00;H04N5/225;G02B5/30;G02B5/20
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 代理人: 张若华
地址: 100089北京市*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型双电荷耦合成像芯片的超视距望远摄像装置,包括有光学长焦多变倍镜头、控制模块、视频生成电路及其合成电路、图像处理设备和显示设备,它还包括有滤光片组、双电荷耦合成像芯片、反射镜,所述光学长焦多变倍镜头设置在该装置的前部,所述两个电荷耦合成像芯片设置在该装置的后部,其中一个为水平设置的水平电荷耦合成像芯片,另一个为垂直设置的垂直电荷耦合成像芯片,所述滤光片组和反射镜依次设置在光学长焦多变倍镜头与水平电荷耦合成像芯片之间,所述垂直电荷耦合成像芯片设置在与反射镜相对应的位置上,通过双电荷耦合成像芯片,适时切换使用,以获得最佳的图像信息,并可透过雾、霾进行目标观测,其观测距离是现有技术的1.5至2.3倍。
搜索关键词: 电荷 耦合 成像 芯片 视距 望远 摄像 装置
【主权项】:
1.一种双电荷耦合成像芯片的超视距望远摄像装置,包括有光学长焦多变倍镜头、控制模块、视频生成电路及其合成电路、图像处理设备和显示设备,其特征在于:它还包括有滤光片组、双电荷耦合成像芯片、反射镜,所述光学长焦多变倍镜头设置在该装置的前部,所述两个电荷耦合成像芯片设置在该装置的后部,其中一个为水平设置的水平电荷耦合成像芯片,另一个为垂直设置的垂直电荷耦合成像芯片,所述滤光片组和反射镜依次设置在光学长焦多变倍镜头与水平电荷耦合成像芯片之间,所述垂直电荷耦合成像芯片设置在与反射镜相对应的位置上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京佳士凯科技中心,未经北京佳士凯科技中心许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200420089164.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top