[实用新型]水平式离子注入碳化硅高温退火装置无效

专利信息
申请号: 200420092867.6 申请日: 2004-09-22
公开(公告)号: CN2730890Y 公开(公告)日: 2005-10-05
发明(设计)人: 孙国胜;王雷;赵万顺 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: C30B33/02 分类号: C30B33/02;C30B31/22
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 100083北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明一种水平式离子注入碳化硅高温退火装置。该装置的石英管退火室水平设置,两端由水冷法兰盘封闭;水冷法兰盘一端上设有退火室的进样门,进样门中心有一个小孔,是退火时保护气体的入口,进样门与法兰盘之间用型密封圈密封连接;水冷法兰盘另一端中心设有一水平的管道,管道的外端是观察窗,管道的上侧垂直设有放气阀门,下侧垂直设有抽气口;石英管退火室的外周圆表面中部,绕设有螺旋管感应加热线圈,退火室的内腔中,与螺旋管感应加热线圈相对的位置设有感应加热体。本发明可满足各种高温、大功率、高频碳化硅器件的制作,也适用于其它半导体的退火激活工艺,其灵活、压力调节范围宽、易于控制,有较高的退火温度。
搜索关键词: 水平 离子 注入 碳化硅 高温 退火 装置
【主权项】:
1.一种水平式离子注入碳化硅高温退火装置,由退火室、法兰盘、退火室进样门、放气阀门、抽气口、观察窗、感应加热线圈和感应加热体组成,其特征是:其中,石英管退火室水平设置,两端由法兰盘封闭,法兰盘上固设有支架,支架将退火室水平固置;退火室和法兰盘之间采用“O”型密封圈密封;法兰盘一端上设有退火室的进样门,进样门中心有一个小孔,与保护气体的储罐出口相通,进样门与法兰盘之间用“O”型密封圈密封连接;法兰盘另一端中心设有一水平的管道,管道的外端是观察窗,管道的上侧垂直设有放气阀门,下侧垂直设有抽气口;石英管退火室的外周圆表面中部,绕设有感应加热线圈,退火室的内腔中,与感应加热线圈相对的位置设有感应加热体。
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