[实用新型]静态随机存储单元及半导体元件无效

专利信息
申请号: 200420093325.0 申请日: 2004-09-03
公开(公告)号: CN2736934Y 公开(公告)日: 2005-10-26
发明(设计)人: 李文钦;杨育佳 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/11 分类号: H01L27/11
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人: 刘新宇
地址: 台湾省新竹科学*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 实用新型提供一种静态随机存储单元及半导体元件。该半导体元件包括一个主动区和一个绝缘区。主动区位于基板内,包括一个半导体材料。绝缘区也位于基板内,在主动区旁边,包括一个绝缘材料。主动区与绝缘区形成一个具有阶梯落差的表面。该半导体包括在该阶梯落差上形成的介电材料,该介电材料的介电常数大于8。本实用新型提供的静态随机存储单元及半导体元件,具有较低的待命电流和功耗,并可降低隧穿电流和栅极的注入离子向外扩散。
搜索关键词: 静态 随机 存储 单元 半导体 元件
【主权项】:
1、一种半导体元件,其特征在于,该半导体元件包括:一个基板;一个基板上的主动区,该主动区包括一个半导体材料;一个基板上的绝缘区,位于该主动区旁边,且包括一个绝缘材料,该主动区与该绝缘区形成一个具有阶梯落差的表面;以及一个形成于该阶梯上的介电材料,该介电材料的介电常数大于8。
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