[实用新型]标准元件单元反偏压架构无效
| 申请号： | 200420093326.5 | 申请日： | 2004-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN2736921Y | 公开（公告）日： | 2005-10-26 |
| 发明（设计）人： | 萧庆和;吴志宏;阙国勋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种标准元件单元反偏压架构。该结构包括一个CMOS元件单元，该CMOS元件单元至少包括第一和第二CMOS晶体管，该第一和第二CMOS晶体管分别有位于第一和第二阱中的第一和第二晶体管掺杂区。其中，每个晶体管掺杂区分别用一个对应的电源电位或接地电位施以偏压。本实用新型的一个实施例中还包括一个分接单元，该分接单元分别有位于第一和第二阱中的第一和第二分接单元掺杂区。其中，每个分接单元掺杂区分别用一个不同于电源电位和接地电位的电位施以偏压。本实用新型提供的标准元件单元反偏压架构，能够有效降低待命漏电功耗，从而提高元件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 标准 元件 单元 偏压 架构 | ||
【主权项】：
1、一种标准元件单元反偏压架构，其特征在于，该架构包括：一个CMOS(互补金属氧化物半导体)元件单元，该CMOS元件单元至少包括第一与第二CMOS晶体管，分别在第一与第二掺杂阱中有第一与第二CMOS晶体管掺杂区，其中，每个该晶体管掺杂区各以一个对应的电源电位或接地电位施以偏压；以及一个分接单元，该分接单元分别有位于该第一与第二阱中的第一与第二分接单元掺杂区，其中，每个该分接单元掺杂区各以一个不同于该电源电位和接地电位的电位施以偏压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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