[实用新型]广谱响应合金电子共振发射光电池无效
申请号: | 200420093903.0 | 申请日: | 2004-10-09 |
公开(公告)号: | CN2798314Y | 公开(公告)日: | 2006-07-19 |
发明(设计)人: | 李映华 | 申请(专利权)人: | 李映华;周红霞 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 510640广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种广谱响应合金电子共振发射光电池,由基片P-N结,广谱响应合金电子发射层、晶体介电层、引出电极构成。引出电极可以是金属网栅电极或透明导电材料制成;基片是单晶硅,或结晶硅、或薄膜、或导电材料;合金电子发射层由有色金属,或稀有金属、或两者合金制成;晶体介电层材料为溅射的单晶或多晶硅薄膜;本实用新型可以广谱利用太阳光能,光电转换效率高,成本低。 | ||
搜索关键词: | 广谱 响应 合金 电子 共振 发射 光电池 | ||
【主权项】:
1、一种广谱响应合金电子发射光电池,由基片、P-N结,合金电子共振发射层、晶体介电层、引出电极构成,其特征在于在电池P-N结层面上为广谱响应合金层和晶体介电层,上面是引出电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的