[实用新型]用于真空测量的电容压力传感器无效

专利信息
申请号: 200420096127.X 申请日: 2004-09-27
公开(公告)号: CN2738224Y 公开(公告)日: 2005-11-02
发明(设计)人: 冯勇建 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: G01L9/12 分类号: G01L9/12;G01L21/00
代理公司: 厦门南强之路专利事务所 代理人: 马应森
地址: 361005福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 用于真空测量的电容压力传感器,涉及一种压力传感器。提供一种电容密封腔密封特性好、结构与工作特性稳定、承受过压能力强、线性度和灵敏度高、耗能低、尺寸小的电容压力传感器。设有主硅片,硅膜片上设压力感受膜,下表面设电容腔体;玻璃衬底与主硅片的下表面键合;密封玻璃下表面与主硅片上的隔离保护墙的表面键合形成密封腔体;保护硅片上表面与密封玻璃下表面键合;另设有硅膜片电极和电容腔电极。采用两片硅和两片玻璃键合结构,采用多层结构静电键合工艺密封电容腔体来制作电容式微型压力传感器的方法,有效地避开电容腔密封粘接这个难题。
搜索关键词: 用于 真空 测量 电容 压力传感器
【主权项】:
1、用于真空测量的电容压力传感器,其特征在于设有主硅片,主硅片的下表面为硅膜片,硅膜片上设压力感受膜片,在主硅片的下表面设有电容腔体,在压力感受膜片周边设隔离保护墙,在压力感受膜片一侧的主硅片上设敞开口;玻璃衬底,玻璃衬底的上表面为抛光面,并与主硅片的下表面键合;密封玻璃,用于密封电容腔体,密封玻璃的下表面与主硅片上的隔离保护墙的表面键合形成密封腔体;保护硅片,保护硅片的上表面与密封玻璃的下表面键合;硅膜片电极,设于主硅片敞开口的硅膜片上,并由引出线连接形成电容的一个引出电极;电容腔电极,设于玻璃衬底的上表面上,上表面为抛光面,并由引出线连接形成电容的另一引出电极。
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