[实用新型]存储电容和采用该存储电容的液晶显示器无效
申请号: | 200420103130.X | 申请日: | 2004-12-16 |
公开(公告)号: | CN2763836Y | 公开(公告)日: | 2006-03-08 |
发明(设计)人: | 洪肇逸;陈弘育 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;G02F1/136;H01L29/786 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种存储电容和采用该存储电容的液晶显示器。该存储电容包括一第一电容电极、一设置在该第一电容电极上的介电层和一设置在该介电层上的第二电容电极;其中,该第一电容电极与第二电容电极中至少其中之一上包括至少一孔洞。由于孔洞的边缘效应,存储电容具有更大的电容值。作为进一步改进,可以在该第一电容电极与第二电容电极中至少其中之一上设置多个相互分离的凸块,由于凸块的边缘作用和凸块间隙的透光作用,可进一步提高该存储电容的电容值。采用该存储电容的液晶显示器具有较大的存储电容值而且可提高像素区域的开口率。 | ||
搜索关键词: | 存储 电容 采用 液晶显示器 | ||
【主权项】:
1.一种存储电容,包括一第一电容电极、一设置在该第一电容电极上的介电层和一设置在该介电层上的第二电容电极,其特征是:该第一电容电极与第二电容电极中至少其中之一上包括至少一孔洞。
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