[实用新型]晶闸管、专用于制造晶闸管的芯片无效
申请号: | 200420109302.4 | 申请日: | 2004-11-30 |
公开(公告)号: | CN2757335Y | 公开(公告)日: | 2006-02-08 |
发明(设计)人: | 王日新 | 申请(专利权)人: | 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司 |
主分类号: | H01L29/74 | 分类号: | H01L29/74 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐晖 |
地址: | 245600*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型公开了晶闸管、专用于制造晶闸管的芯片,晶闸管由外壳、芯片、引出线几部分组成,芯片包括长基区N、短基区P、隔离墙,N+区,P+区,槽型钝化台面,在隔离墙设有垂直穿通的激光孔,激光孔的直径小于200μm,激光孔的间距40-400μm。本实用新型因为在隔离墙上设有激光孔,加快了隔离墙扩散速度和深度,可以使隔离墙纵深部分做的比较厚,从而长基区可以做长,做到200-600μm,芯片的耐压提高,125℃高温时漏电流减小,性能稳定。由于可以采用激光穿孔隔离墙扩散工艺制造晶闸管芯片,加快了隔离墙扩散速度,节省了能源,生产周期短,生产效率高,原材料硅片的利用率高,适合规模化生产。 | ||
搜索关键词: | 晶闸管 专用 制造 芯片 | ||
【主权项】:
1、一种晶闸管,晶闸管由外壳、芯片、引出线三部分组成,芯片包括长基区N、短基区P1、P2,隔离墙,扩磷区N+,浓硼扩散区P+,槽型钝化台面,其特征在于:在隔离墙平面上设有垂直穿通的激光孔,激光孔的直径小于200μm,激光孔的间距40-400μm。
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