[实用新型]快速稳定的双向可控硅触发电路无效
| 申请号： | 200420110357.7 | 申请日： | 2004-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN2747777Y | 公开（公告）日： | 2005-12-21 |
| 发明（设计）人： | 郭灿;黄永庆 | 申请（专利权）人： | 上海希瑞电子设备有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08;H03K17/72 |
| 代理公司： | 上海浦东良风专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陈志良 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型为一种快速稳定的双向可控硅触发电路，包括电阻、电容、二极管、可控硅组成的电路，其特征在于：整流全桥D1和MOS开关管Q2组成的交流方波脉冲生成电路与D2、C3、R4、R6、R7、U1组成的MOS开关管隔离驱动电路连接，15V稳压二极管D2与电容C3互为并联串接在上两路低压光耦的副边，脉冲生成电路A点电压，经过d4、Q2、d2、C2加到可控硅的触发极，从而触发MOS开关管Q2。本实用新型的优点是：通过光耦隔离，驱动能力超过5MA的TTL电平就可以可靠地触发双向可控硅和双向可控硅模块，触发延时在10uS以内，而且不会对控制电路产生干扰。本实用新型采用市场常见元件，电路容易实现并且工作稳定可靠，解决了双向可控硅和双向可控硅模块在数字控制系统应用中的触发问题。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 稳定 双向 可控硅 触发 电路 | ||
【主权项】：
1.一种快速稳定的双向可控硅触发电路，包括电阻、电容、二极管、可控硅组成的电路，其特征在于：整流全桥D1和MOS开关管Q2组成的交流方波脉冲生成电路与D2、C3、R4、R6、R7、U1组成的MOS开关管隔离驱动电路连接，15V稳压二极管D2与电容C3互为并联串接在上两路低压光耦的副边，脉冲生成电路A点电压经过d4、Q2、d2、C2加到可控硅的触发极，从而触发MOS开关管Q2。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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