[实用新型]MOSFET和肖特基二极管结合的瘦小外形封装无效
| 申请号： | 200420110479.6 | 申请日： | 2004-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN2788355Y | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 施震宇;汪利民;石磊 | 申请（专利权）人： | 万代半导体元件（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 衷诚宣 |
| 地址： | 201203上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种MOSFET和肖特基二极管结合的瘦小外形封装，其包含MOSFET S极，MOSFET G极，MOSFET D极，肖特基二极管的K极和A极，该MOSFET的D极与肖特基二极管的A极位于同一侧；还包含一引线框架，该引线框架包含第一引线为肖特基二极管的K极，与肖特基二极管的第二载片台相连；第四引线为MOSFET的D极，其和MOSFET的第一载片台相连；MOSFET的D极与肖特基二极管的K极位于相对的两侧。本实用新型使MOSFET的D极与肖特基二极管的K极位于封装器件的同一侧，简化外部输出的结构，缩短电流路径，有效提升了电源的效率，降低设计的复杂程度，延长电池的使用时间。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 肖特基 二极管 结合 瘦小 外形 封装 | ||
【主权项】：
1.一种MOSFET和肖特基二极管结合的瘦小外形封装，其包含MOSFET S极，MOSFET G极，MOSFET D极，肖特基二极管的K极和A极，特征在于，MOSFET的D极与肖特基二极管的A极位于同一侧。
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