[实用新型]金属氧化物半导体场效应晶体管无效
| 申请号： | 200420112318.0 | 申请日： | 2004-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN2788356Y | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 王志豪;陈尚志;王焱平;邱显光;姚亮吉;胡正明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：位于基底上的高介电常数栅极介电质，以及位于该栅极介电质上的栅极电极，且栅极介电质突出于栅极电极外。栅极的每一侧形成有深源极和深漏极，其具有浅延伸区。深源极与深漏极区通过选择性原位掺杂外延法或离子注入法形成，延伸区通过选择性原位掺杂外延法形成。延伸区位于栅极下方并与栅极介电质接触。栅极介电质的材料以及其突出至栅极电极外的程度可以选择，以使外延及其相关步骤不会引发栅极电极与源极/漏极延伸区间发生桥接而导致的短路。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于包括：一个半导体基底；一个栅极，位于该基底的一个闲置表面，该栅极包括一个栅极介电质堆迭和一个栅极电极，该栅极介电质堆迭包括至少一层位于该基底的该闲置表面的高介电常数材料层，该栅极电极位于该高介电常数材料层的闲置表面，且该高介电常数材料层突出于该栅极电极外；一个源极与一个漏极，形成于栅极的相对侧；以及一个浅源极延伸和一个浅漏极延伸，位于该源极和漏极上方，并延伸至该高介电常数材料层下方。
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