[实用新型]热释电红外传感器无效
| 申请号： | 200420114743.3 | 申请日： | 2004-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN2754212Y | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 张洁伟;朱伟;周云;郑超 | 申请（专利权）人： | 上海尼赛拉传感器有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00;G01J5/10 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种热释电红外传感器，包括管座、带红外滤光片窗口的管帽，其特征在于：基板采用双面印制电路板，敏感元与场效应管直接粘贴在印刷电路基板的二面，省略了通常所需要的支架，减少了工艺环节，降低了生产成本。同时场效应管作为支撑垫高了敏感元的位置，使传感器有更大的视场角，提高了器件的探测性能。 | ||
| 搜索关键词： | 热释电 红外传感器 | ||
【主权项】：
1.一种热释电红外传感器，包括：管座(1)、带红外滤光片窗口(6)的管帽(7)，其特征在于：在管座上置有场效应管(3)，基板(4)置在场效应管(3)上，敏感元(5)置在基板(4)上；所说的基板(4)是由用于实现场效应管(3)和敏感元(5)电学联接的双面带印刷电路的环氧板制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
