[实用新型]提高低频电源抑制比的辅助电路、电压调节器和电路装置无效
| 申请号： | 200420116651.9 | 申请日： | 2004-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN2849790Y | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 丁齐兵;管慧;施浩 | 申请（专利权）人： | BCD半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56;H03F1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 一种提高具有多个放大器级的电路装置中低频电源抑制比的辅助电路，其多个放大器级中第一级是双端输入放大器，每一级的输出连接下一级的输入，最后一级的输出作为第一级的反馈输入，辅助电路包括：第一PMOS管，源极连接于电源，栅极连接于偏置电压；第一NMOS管，源极接地，栅极和漏极连接于第一PMOS管的漏极；第二NMOS管，源极接地，栅极连接于第一PMOS管的漏极，漏极连接于除最后一级以外的任一放大器级的输出，其中，第二NMOS管的漏极所连接的放大器级输出的电压极性与最后一级输出的电压极性相同。本实用新型的辅助电路，在基本上不增加芯片面积和增大电源电流的条件下，有效得提高PSRR。本实用新型还揭示了具有该辅助电路的电压调节器和电路装置。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 低频 电源 抑制 辅助 电路 电压 调节器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于提高低频电源抑制比的辅助电路，其中所述低频电源抑制比是具有多个放大器级的电路装置中的低频电源抑制比，所述多个放大器级中第一级是双端输入放大器，每一级的输出连接下一级的输入，并且最后一级的输出作为第一级的反馈输入，其特征在于，所述辅助电路包括：第一PMOS管，其源极连接于电源，栅极连接于一随电源变化的偏置电压；第一NMOS管，其源极接地，栅极和漏极连接于所述第一PMOS管的漏极；第二NMOS管，其源极接地，栅极连接于所述第一PMOS管的漏极，漏极连接于所述多个放大器级中除最后一级以外的任一放大器级的输出，其中，所述第二NMOS管的漏极所连接的放大器级输出的电压极性与所述最后一级的输出的电压极性相同。
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