[实用新型]强电流直流电弧等离子体化学气相沉积装置无效
申请号: | 200420121006.6 | 申请日: | 2004-12-28 |
公开(公告)号: | CN2793101Y | 公开(公告)日: | 2006-07-05 |
发明(设计)人: | 唐伟忠;李成明;吕反修;陈广超;佟玉梅;宋建华;刘素田 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | C23C16/503 | 分类号: | C23C16/503;C23C16/27 |
代理公司: | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人: | 刘月娥 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供了一种强电流直流电弧等离子体化学气相沉积装置,由阴极部分、阳极、真空室、真空泵系统、压力测控装置、直流电弧弧柱、制品架、电源、磁场线圈组成;阴极部分(1)和阳极(8)处于圆桶状真空室(2)轴线的两端;一对磁场线圈(12)、(13)同轴地处于真空室(2)外的上下两侧;真空室(2)与真空泵系统(3)、压力测控装置(4)由真空管路相连接。阴极部分(1)由阴极杆(6)、阴极体(7)、保护气体通道体(14)、反应气体通道体(15)以及绝缘体(17)、(18)所组成;在保护气体通道体(14)、反应气体通道体(15)的下方是阴极喷口(16)。本实用新型的优点在于:寿命与结构稳定性将可获得大幅度的改善并可靠性提高。 | ||
搜索关键词: | 电流 直流 电弧 等离子体 化学 沉积 装置 | ||
【主权项】:
1、一种强电流直流电弧等离子体化学气相沉积装置,由阴极部分、阳极、真空室、真空泵系统、压力测控装置、直流电弧弧柱、制品架、电源、磁场线圈组成;其特征在于:阴极部分(1)和阳极(8)处于圆桶状真空室(2)轴线的两端;一对磁场线圈(12)、(13)同轴地处于真空室(2)外的上下两侧;真空室(2)与真空泵系统(3)、压力测控装置(4)由真空管路相连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京科技大学,未经北京科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200420121006.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:以发热膜板单元构成的发热体
- 下一篇:一种插卡机构
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的