[实用新型]半导体能量晶片结构无效
申请号: | 200420122283.9 | 申请日: | 2004-12-29 |
公开(公告)号: | CN2762784Y | 公开(公告)日: | 2006-03-08 |
发明(设计)人: | 黄定宗 | 申请(专利权)人: | 黄定宗 |
主分类号: | A61F7/00 | 分类号: | A61F7/00;A61N5/06 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种半导体能量晶片结构,是包含有一基材与一披覆材,该基材是可供发热的任何预先成型元件,该披覆材则是均匀披覆或喷附于基材表面的导电材料,可与基材一体形成一半导电性发热薄膜,使该半导体能量晶片可在不须通电的情况下自动放射光能波,同时产生快速共振吸收作用,而可对人体健康产生极大助益。 | ||
搜索关键词: | 半导体 能量 晶片 结构 | ||
【主权项】:
1、一种半导体能量晶片结构,其特征在于,是包含有:一基材,是可供发热的任何预先成型元件;一披覆材,是均匀披覆或喷附于基材表面的导电材料,使基材具有半导电性。
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