[实用新型]发光二极管芯片无效
| 申请号： | 200420150549.0 | 申请日： | 2004-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN2789935Y | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 李刚;吴启保;王胜国 | 申请（专利权）人： | 方大集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 518000广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型的一种发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底、在所述衬底上外延生长的半导体材料层、以及在所述半导体材料层上设置的导电薄膜层。在导电薄膜层和N型氮化镓层设有正电极和负电极。在P型氮化镓层和量子阱层上设置、从其边缘开设的、朝向所述正电极的开槽；所述开槽与所述正电极之间具有间隔。开槽的开设增加了其周边面积，提供了更多的出光表面积，从而增大了发光二极管芯片的发光效率。而且，所述开槽的开设可以在蚀刻其导电薄膜层、P型氮化镓层和量子阱层形成键合负电极的裸露部分时同时形成，从而无需增加工艺环节、制造成本，并且不影响芯片光电特性、不降低产品优良率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底、在所述衬底上外延生长的半导体材料层、以及在所述半导体材料层上设置的导电薄膜层；所述半导体材料层包括N型氮化镓层、在所述N型氮化镓层上设置的量子阱层、在所述量子阱层上设置的P型氮化镓层；在所述导电薄膜层和所述N型氮化镓层设有正电极和负电极，其特征在于，在所述P型氮化镓层和所述量子阱层上设置、从其边缘开设的、朝向所述正电极的开槽；所述开槽与所述正电极之间具有间隔。
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