[发明专利]延伸薄膜及其制造方法有效
| 申请号： | 200480000013.3 | 申请日： | 2004-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1697728A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 西岛茂俊;伊牟田伸一;广濑敏行 | 申请（专利权）人： | 三井化学株式会社 |
| 主分类号： | B29C55/02 | 分类号： | B29C55/02;B32B27/32;C08J5/18 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳;邸万杰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种适合于MLB制造用脱模薄膜的薄膜及其制造方法，该薄膜是具有高刚性和高耐热性的薄膜，从或通过氧化表面或通过酸进行蚀刻处理的黑化处理铜箔面那样的对表面进行了粗糙化处理的铜箔面上脱模的脱模性好。它是将含有4－甲基－1－戊烯为80摩尔％以上的由4－甲基－1－戊烯和乙烯或碳原子数为3～20的其它α－烯烃得到的共聚物所构成的层(A)作为至少一个最外层的薄膜，是延伸方向的热收缩率为20％以上、或与对表面进行了粗糙化处理的铜箔面加热处理时的剥离面积为50％以上的延伸薄膜，是适合于MLB制造用的从黑化处理铜箔面上脱模的脱模性良好的脱模薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 延伸 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种延伸薄膜，其特征在于：它是将含有4-甲基-1-戊烯为80摩尔％以上的由4-甲基-1-戊烯和乙烯或碳原子数为3～20的其它α-烯烃的共聚物构成、实质上不含蜡或硅酮的层(A)作为至少一个最外层的薄膜，与对表面进行了粗糙化处理的铜箔面加热加压处理时的剥离面积为50％以上。
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