[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200480000058.0 申请日: 2004-01-16
公开(公告)号: CN1698198A 公开(公告)日: 2005-11-16
发明(设计)人: 三原一郎;若林猛;城户利浩;定别当裕康;吉野裕;影山信之;河野大太;吉泽润 申请(专利权)人: 卡西欧计算机株式会社;CMK株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/485
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 刘炳胜
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体器件,包括至少一个半导体构件(3),该半导体构件(3)具有形成在半导体衬底(5)上的多个外部连接电极(6)。绝缘部件(14、14A)设置在半导体构件(3)的一侧上。上部互连(17、54)具有连接焊盘部分,所述连接焊盘部分设置在对应上部互连的绝缘板件(14、41A)上并连接到半导体构件(3)的外部连接电极(6)上。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种半导体器件,其特正在于包括:至少一个半导体构件(3),具有一个半导体衬底(5)和形成在半导体衬底上的多个外部连接电极(6);设置在半导体构件(3)一侧上的绝缘板件(14、14A);和具有多个连接焊盘部分的多个上部互连(17、54),其中连接焊盘部分设置在绝缘板件(14、14A)上并对应上部互连,并电连接到半导体构件(3)的外部连接电极(6)。
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