[发明专利]介电陶瓷、其生产方法和多层陶瓷电容器有效
申请号: | 200480000059.5 | 申请日: | 2004-01-30 |
公开(公告)号: | CN1697789A | 公开(公告)日: | 2005-11-16 |
发明(设计)人: | 冈松俊宏;佐野晴信 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 陈瑞丰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种用下述步骤得到的介电陶瓷:得到由通式(Ba1-h-i-mCahSriGdm) k (Ti1-y-j-nZryHfjMgn)O3表示的钛酸钡基复合氧化物构成的反应产物,其中,0.995≤k≤1.015,0≤h≤0.03,0≤i≤0.03,0.015≤m≤0.035,0≤y<0.05,0≤j<0.05,0≤(y+j)<0.05,0.015≤n≤0.035;混合Ma(Ba等)、Mb(Mn等)和Mc(Si等),其中,以100摩尔反应产物计,Ma的含量小于1.5摩尔,Mb的含量小于1.0摩尔,Mc的含量是0.5-2.0摩尔;然后将如此得到的混合物焙烧。这种介电陶瓷具有优异的抗湿性,能够满足JIS标准中的F性能和EIA标准中的Y5V性能,相对介电常数是9000或更大,具有优异的高温可靠性。 | ||
搜索关键词: | 陶瓷 生产 方法 多层 电容器 | ||
【主权项】:
1、一种介电陶瓷,其包含:由通式(Ba1-h-i-mCahSriGdm)k(Ti1-y-j-nZryHfjMgn)O3表示的钛酸钡基复合氧化物构成的主要组分,其中,0.995≤k≤1.015,0≤h≤0.03,0≤i≤0.03,0.015≤m≤0.035,0≤y<0.05,0≤j<0.05,0≤(y+j)<0.05,0.015≤n≤0.035,Ba被Gd部分取代,Ti被Mg部分取代;和含有Ma(Ma是Ba、Sr和Ca中的至少一种)、Mb(Mb是Mn和Ni中的至少一种)和Mc(Mc是Si或者包含Si和Ti)的附加组分,其中,以100摩尔主要组分计,Ma的含量小于1.5摩尔(但是不包含0摩尔),以100摩尔主要组分计,Mb的含量小于1.0摩尔(但是不包含0摩尔),以100摩尔主要组分计,Mc的含量是0.5-2.0摩尔。
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