[发明专利]介电陶瓷、其生产方法和多层陶瓷电容器有效

专利信息
申请号: 200480000059.5 申请日: 2004-01-30
公开(公告)号: CN1697789A 公开(公告)日: 2005-11-16
发明(设计)人: 冈松俊宏;佐野晴信 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: C04B35/468 分类号: C04B35/468
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 陈瑞丰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种用下述步骤得到的介电陶瓷:得到由通式(Ba1-h-i-mCahSriGdm) k (Ti1-y-j-nZryHfjMgn)O3表示的钛酸钡基复合氧化物构成的反应产物,其中,0.995≤k≤1.015,0≤h≤0.03,0≤i≤0.03,0.015≤m≤0.035,0≤y<0.05,0≤j<0.05,0≤(y+j)<0.05,0.015≤n≤0.035;混合Ma(Ba等)、Mb(Mn等)和Mc(Si等),其中,以100摩尔反应产物计,Ma的含量小于1.5摩尔,Mb的含量小于1.0摩尔,Mc的含量是0.5-2.0摩尔;然后将如此得到的混合物焙烧。这种介电陶瓷具有优异的抗湿性,能够满足JIS标准中的F性能和EIA标准中的Y5V性能,相对介电常数是9000或更大,具有优异的高温可靠性。
搜索关键词: 陶瓷 生产 方法 多层 电容器
【主权项】:
1、一种介电陶瓷,其包含:由通式(Ba1-h-i-mCahSriGdm)k(Ti1-y-j-nZryHfjMgn)O3表示的钛酸钡基复合氧化物构成的主要组分,其中,0.995≤k≤1.015,0≤h≤0.03,0≤i≤0.03,0.015≤m≤0.035,0≤y<0.05,0≤j<0.05,0≤(y+j)<0.05,0.015≤n≤0.035,Ba被Gd部分取代,Ti被Mg部分取代;和含有Ma(Ma是Ba、Sr和Ca中的至少一种)、Mb(Mb是Mn和Ni中的至少一种)和Mc(Mc是Si或者包含Si和Ti)的附加组分,其中,以100摩尔主要组分计,Ma的含量小于1.5摩尔(但是不包含0摩尔),以100摩尔主要组分计,Mb的含量小于1.0摩尔(但是不包含0摩尔),以100摩尔主要组分计,Mc的含量是0.5-2.0摩尔。
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