[发明专利]探针的零点检测方法及探测装置无效
| 申请号： | 200480000137.1 | 申请日： | 2004-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN1698183A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 奥村胜弥;古屋邦浩 | 申请（专利权）人： | 株式会社奥科泰克;东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的零点检测方法在使载置台(6)上的被检查体W′和探测卡(8)的探针8A接触、进行晶片W的电特性检查之前实施。零点检测板(11)的表面由导电性材料(例如，铜)构成。零点检测板用于检测为被检查体的表面与探针接触的位置的零点。零点检测板包括：加热零点检测板(11)、向零点检测板(11)吹送还原性气体以将其表面的铜的氧化物还原、在还原气体气氛中将还原后的零点检测板(11)冷却、使零点检测板(11)上升以使其表面与探针(8A)接触、利用电检测来检测该接触。 | ||
| 搜索关键词： | 探针 零点 检测 方法 探测 装置 | ||
【主权项】：
1、一种零点检测方法，在使载置在载置台(6)上的被检查体(w’)的电极(P)与探针(8A)接触，检查被检查体的电特性的方法中，检查被检查体的电极表面与探针接触的位置的零点的方法，其特征在于，该方法包括：加热零点检测板(11)的步骤，在此，零点检测板的表面由导电性材料构成；通过使还原性气体(13F)与该零点检测板接触，来还原零点检测板的表面的步骤；在还原性气体或惰性气体的气氛中冷却该零点检测板的步骤；使探针与该零点检测板的表面接近，利用电检测来检测出探针与该表面已经接触的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
