[发明专利]氮化镓系发光器件有效
| 申请号： | 200480000484.4 | 申请日： | 2004-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN1698215A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 佐藤寿朗;和田直树;酒井士郎;木村真大 | 申请（专利权）人： | 氮化物半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是使用了GaN系半导体的发光器件。发光器件具有n型包层(124)、由n型第1势垒层(126)、阱层(128)和第2势垒层(130)构成的有源层(129)、p型阻挡层(132)、p型包层(134)。在p型阻挡层(132)的带隙能量Egb、第2势垒层(130)的带隙能量Eg2、第1势垒层(126)的带隙能量Eg1、n型及p型包层(124)、(134)的带隙能量Egc方面，通过使Egb＞Eg2＞Eg1≥Egc，能够有效地封闭载流子，增大发光强度。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓系发光器件，它具有：衬底；在上述衬底上形成的第1导电型的包层；在上述包层上形成的有源层；以及在上述有源层上形成的第2导电型包层，上述有源层具有由氮化镓系化合物半导体层构成的势垒层及阱层，其特征在于：上述有源层的上述势垒层具有被在上述第1导电型的包层侧形成的第1势垒层及上述阱层夹持的第2势垒层；在上述有源层与上述第2导电型的包层之间具有第2导电型的载流子阻挡层；上述载流子阻挡层的带隙Egb、第2势垒层的带隙Eg2、第1势垒层的带隙Eg1、包层的带隙Egc满足Egb＞Eg2＞Eg1≥Egc。
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