[发明专利]图案形成方法及半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200480000583.2 | 申请日： | 2004-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1698181A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 中川秀夫;笹子胜;平井义彦 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/768;H01L21/312;H01L21/316 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 图案形成方法，包括：形成由具有流动性的物质构成的流动性膜的工序；将推压面具有凹部及凸部中至少一个的推压构件的所述推压面推压到流动性膜，将所述凹部及凸部中至少一个转印到流动性膜的工序；在将推压面推压到流动性膜的状态下，通过将流动性膜加热到第1温度，使转印了凹部及凸部中至少一个的流动性膜固化，形成固化膜的工序；以及通过将固化膜加热到比第1温度高的第2温度焙烧所述固化膜，形成由已焙烧的固化膜构成的图案的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 形成 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种图案形成方法，其特征在于，包括：形成由具有流动性的物质形成的流动性膜的工序，将推压面具有凹部及凸部中的至少一个的推压构件的所述推压面推压到所述流动性膜，将所述凹部及凸部中的至少一个转印到所述流动性膜的工序；通过在将所述推压面推压在所述流动性膜的状态下，将所述流动性膜加热到第1温度，使所述凹部及凸部中至少一个被转印来的所述流动性膜固化，形成固化膜的工序；以及通过将所述固化膜加热到比所述第1温度高的第2温度焙烧所述固化膜，形成由已焙烧的所述固化膜构成的图案的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
