[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

半导体器件的制造方法，包括：使推压面具有凸部的推压构件的推压面推压到流动性膜，在流动性膜形成转印了凸部的第1凹部。其次，在将推压构件推压到流动性膜的状态下，将流动性膜加热到第1温度而使流动性膜固化，形成具有第1凹部的固化膜。其次，将固化膜加热到比第1温度高的第2温度而焙烧固化膜，形成具有第1凹部的焙烧膜。其次，形成具有第二凹部形成用开口部的掩模后，使用掩模对焙烧膜进行蚀刻，在焙烧膜上形成至少与第1凹部连通的第2凹部。在焙烧膜的第1凹部及第2凹部埋入金属材料而形成插塞及金属布线。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：形成由具有流动性的绝缘性物质形成的流动性膜的工序；将推压面具有凸部的推压构件的所述推压面推压到所述流动性膜，在所述流动性膜形成由转印所述凸部形成的第1凹部的工序；通过在将所述推压面推压到所述流动性膜的状态下，将所述流动性膜加热到第1温度，固化所述流动性膜，形成具有所述第1凹部的固化膜的工序；通过将所述固化膜加热到比第1温度高的第2温度焙烧所述固化膜，形成具有所述第1凹部的焙烧膜的工序；通过在所述焙烧膜上，形成具有第2凹部形成用的开口部的掩模后，使用所述掩模对所述焙烧膜进行蚀刻，在所述焙烧膜形成至少与所述第1凹部连通的第2凹部的工序；以及通过在所述焙烧膜的所述第1凹部及所述第2凹部埋入金属材料，形成由所述金属材料形成的插塞及金属布线的工序。