[发明专利]第Ⅲ族氮化物晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 200480000799.9 | 申请日： | 2004-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN1701415A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | 中畑成二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种具有低位错密度的高质量第III族氮化物晶体及制备这种第III族氮化物晶体的制备方法。将第III族氮化物晶体薄膜(2)生长到衬底(1)上，且将金属薄膜(3)沉积其上。通过进行热处理，将金属薄膜(3)改变为金属氮化物薄膜(4)，并且在其中产生细孔(4h)，和在第III族氮化物晶体薄膜(2)中形成孔隙部分(2b)。通过进一步生长第III族氮化物晶体，将用于填充的第III族氮化物晶体(5)填充到所述的孔隙部分(2b)且将第III族氮化物晶体(6)生长到金属氮化物薄膜(4)上。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于第III族氮化物晶体的制备方法，其特征在于，包含如下步骤：将第III族氮化物晶体薄膜生长到衬底上；将金属薄膜沉积到所述第III族氮化物晶体薄膜上；通过热处理在其上面生长了所述第III族氮化物晶体薄膜和沉积了所述金属薄膜的衬底，不仅在所述金属薄膜中产生细孔，而且在所述第III族氮化物晶体薄膜中形成孔隙部分；在氧浓度为0.1摩尔％或更低的气氛中，将用于填充的第III族氮化物晶体生长到其中形成了所述的孔隙部分的第III族氮化物晶体薄膜上，以填充所述第III族氮化物晶体薄膜中的孔隙部分；和在氧浓度为0.1摩尔％或更低的气氛中，将第III族氮化物晶体生长到所述金属薄膜上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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