[发明专利]热处理装置无效
申请号: | 200480000855.9 | 申请日: | 2004-08-11 |
公开(公告)号: | CN1701416A | 公开(公告)日: | 2005-11-23 |
发明(设计)人: | 田中澄;釜石贵之;铃木公贵 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/455 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于,防止处理气体侵入载置台下方的空间,在支柱(56)的上端部的内周部分设置支撑载置台(58)的下面的支撑面(62),在支撑面(62)的外侧的支柱(56)的上端部的中间周向部分,形成沿着周向延伸的净化气体槽(64)。在与净化气体槽(64)的外侧的支柱(56)的上端部的外周部分对应的位置,设置狭窄流路(68)。从净化气体供给部件(66)提供给净化气体槽(64)内的净化气体,沿周向扩散到净化气体槽(64)内,从狭窄流路(68)向外侧流出,通过这样的净化气体的流动,可防止处理气体侵入净化气体槽(64)和载置台的下方的空间(S1)中。 | ||
搜索关键词: | 热处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种热处理装置,其特征在于,包括:能够抽真空的处理容器;从所述处理容器的底部向上方延伸的圆筒状的支柱;用于载置被处理体的支撑在所述支柱的上端的板状的载置台;用于加热载置在所述载置台上的被处理体的加热灯;和向所述处理容器内提供处理气体的气体供给部件,在所述圆筒状的支柱的上端部的内周部分,沿着周向形成有与所述载置台的周边部的下面接触且保持其的支撑面,在所述圆筒状支柱的上端部的中间周向部分,沿着周向形成有用于流动净化气体的净化气体槽,在所述圆筒状支柱的上端部的外周部分,沿着周向设置有狭窄流路,其防止所述处理气体侵入所述净化气体槽,且将流入所述净化气体槽的净化气体向外侧排出,设置用于向所述净化气体槽提供净化气体的净化气体供给部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造