[发明专利]电场传感器及其调节方法无效
申请号: | 200480000883.0 | 申请日: | 2004-07-28 |
公开(公告)号: | CN1701236A | 公开(公告)日: | 2005-11-23 |
发明(设计)人: | 佐佐木爱一郎;品川满;柴田信太郎;美浓谷直志;藤浦和夫;笹浦正弘;丰田诚治 | 申请(专利权)人: | 日本电信电话株式会社 |
主分类号: | G01R29/12 | 分类号: | G01R29/12 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郝庆芬 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种电场传感器,包括:光源(1);光电晶体(7),基于被测量信号对它施加电场,其中双折射率根据该电场变化,并根据该双折射率变化从光源入射的光的偏振状态和发射该光;和检测器(9,17,19,21),根据从光电晶体发射的光的偏振状态的变化检测电信号。另外,该电场传感器包括:基于被测量信号向光电晶体(7)施加电场的信号电极(11);与该信号电极(11)形成一对的相对电极(12);和电连接到该相对电极(12)并与地形成电容的辅助电极(61)。 | ||
搜索关键词: | 电场 传感器 及其 调节 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电场传感器,其特征在于:包括光源(1);光电晶体(7),基于被测量信号对它施加电场,其中双折射率根据该电场变化,并根据该双折射率变化从所述光源(1)入射的光的偏振状态和发射该光;检测器(9,17,19,21),根据从所述光电晶体(7)发射的光的所述偏振状态的变化检测电信号;第一电极(11),接近所述光电晶体(7)设置,并基于所述被测量信号向所述光电晶体(7)施加电场;第二电极(12),接近所述光电晶体(7)设置,从而与所述第一电极(11)形成一对;和辅助电极(61),电连接到所述第二电极(12)并与地之间形成电容。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电信电话株式会社,未经日本电信电话株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200480000883.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:热处理装置
- 下一篇:治疗性吖啶酮及吖啶化合物