[发明专利]内部增强的焊盘有效
| 申请号： | 200480000899.1 | 申请日： | 2004-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1701428A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | 戴维·安格尔;弗雷德里克·保利奥;久田隆史;阿德利尼·凯利;萨缪尔·迈克奈特;宫井宏光;凯文·沙恩·皮特拉尔卡;沃尔夫冈·萨乌特;理查德·鲍尔·沃兰特;凯特林·温斯坦 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李春晖 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及内部增强的焊盘。具体公开了一种加强焊盘结构，其具有非平面电介质结构以及共形地形成在所述非平面电介质结构上的金属接合层。所述非平面电介质结构基本上被再现在所述金属接合层中，以形成非平面金属结构。环绕每一个非平面金属结构有一个电介质材料环，在探查焊盘期间提供硬停止体，以限制焊盘在探查期间可被去除的量。 | ||
| 搜索关键词： | 内部 增强 | ||
【主权项】：
1.一种加强焊盘结构，包括：衬底；形成在衬底上的金属层；在该金属层上的电介质层，至少一个通到该金属层的通孔，至少一部分所述电介质层构成多个非平面电介质结构；共形地形成在电介质层的非平面结构上的金属接合层，使得所述非平面电介质结构被基本上再现在金属接合层中，作为非平面金属结构，金属接合层还形成在通孔中以接触金属层；以及环绕每一个非平面金属结构的电介质材料环。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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