[发明专利]用于半导体晶片的抛光垫、装备有该抛光垫用于抛光半导体晶片的层叠体以及用于抛光半导体晶片的方法有效
申请号: | 200480000983.3 | 申请日: | 2004-04-23 |
公开(公告)号: | CN1781186A | 公开(公告)日: | 2006-05-31 |
发明(设计)人: | 志保洁司;保坂幸生;长谷川亨;川桥信夫 | 申请(专利权)人: | JSR株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的一个目的是提供用于半导体晶片的抛光垫和用于抛光半导体晶片的层叠体,以及利用所述抛光垫和层叠体对半导体晶片进行抛光的方法,装备所述抛光垫和层叠体可以在不降低抛光性能的情况下进行抛光。本发明的抛光垫包含用于抛光垫的提供有从表面穿透至背部的通孔的衬底(11)、和安装在所述通孔中的透光部件(12),其中所述透光部件包含一种非水溶性基体材料(1,2聚丁二烯)和分散在所述非水溶性基体材料中的一种水溶性颗粒(β-环糊精),并且基于所述非水溶性基体材料和所述水溶性颗粒的总量体积100%,所述水溶性颗粒的体积百分含量小于5%。此外,本发明的用于抛光的层叠体包含所述抛光垫的背面上的支撑层。这些抛光垫和用于抛光的层叠体可包含背面上的固定层(13)。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 晶片 抛光 装备 层叠 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于半导体晶片的抛光垫,所述抛光垫包含用于抛光垫的提供有从表面穿透至背部的通孔的衬底、和安装在所述通孔中的透光部件,其中所述透光部件包含非水溶性基体材料和分散在所述非水溶性基体材料中的水溶性颗粒,并且其中,基于所述非水溶性基体材料和所述水溶性颗粒的总量体积100%,所述水溶性颗粒的体积百分含量不小于0.1%且小于5%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于JSR株式会社,未经JSR株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200480000983.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:DTV收信机的载波复原装置
- 下一篇:车辆的二次空气导入装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造